發(fā)布時(shí)間:2023-07-07
螺栓容易出現(xiàn)各種缺陷,有些是在安裝、使用或制造過程中出現(xiàn)的。 檢測(cè)螺栓中的缺陷有助于提升機(jī)械設(shè)備的使用安全以及提高這些零部件的使用壽命。
相控陣超聲檢測(cè)(PAUT)技術(shù)不僅使檢查員能夠在不移動(dòng)超聲探頭的情況下執(zhí)行高速電子掃描,而且還能夠控制波束特性,以提高檢測(cè)性能。 單個(gè)電子控制的相控陣超聲探頭可實(shí)現(xiàn)多角度檢測(cè),在面對(duì)復(fù)雜幾何體的時(shí)候檢測(cè)更具有靈活性。
在本應(yīng)用說明中,我們介紹了使用OmniScan X3探傷儀和定制環(huán)陣(5D26-12-64)超聲探頭進(jìn)行的幾項(xiàng)測(cè)試,以證明該設(shè)備在檢測(cè)螺栓和類似形狀零件缺陷方面的效率。
圖1. OmniScan X3探傷儀與螺栓上的環(huán)陣探頭相連
圖2. 定制5D26-12-64環(huán)陣探頭(頂部)和晶片分布模式(底部)
外徑:26 mm 內(nèi)徑:12 mm 晶片:64
總有效孔徑:外周長(zhǎng):81.68 mm 內(nèi)周長(zhǎng):37.69 mm
外螺距:1.276 mm 內(nèi)螺距:0.5889 mm
高度:14 mm
圖3. 存在機(jī)加工缺陷的螺栓試塊。 該螺栓試塊帶加工刻槽缺陷,刻槽位置為距螺帽表面20 mm(在螺帽與螺桿交界處),80 mm,140 mm,刻槽深度1 mm。
OmniScan X3探傷儀顯示屏的以下屏幕截圖(圖4-6)顯示了環(huán)陣探頭發(fā)射8個(gè)晶片時(shí)三個(gè)缺陷的測(cè)試結(jié)果。 采用線性掃描技術(shù),探頭固定在螺帽上。
發(fā)射順序:1-8、2-9、3-10、…57-64
圖4. 對(duì)于距離上表面(螺帽與螺桿連接區(qū)域)20 mm處的缺陷(刻槽),其檢測(cè)深度為21.89 mm。
圖5. 對(duì)于距離上表面80 mm處的缺陷(刻槽),其檢測(cè)深度為78.89 mm。
圖6. 對(duì)于距離上表面140 mm處的缺陷(刻槽),其檢測(cè)深度為138.17 mm。
接下來,我們一次只激發(fā)了4個(gè)晶片,其他條件保持不變。 我們獲得的測(cè)試結(jié)果如圖7所示。
發(fā)射順序:1-4、2-5、3-6、…61-64
圖7. 距離上表面20 mm和80 mm處較淺缺陷(刻槽)的信號(hào)較強(qiáng),指示清晰,而140 mm處缺陷(刻槽)的信號(hào)較弱。
當(dāng)我們將一次發(fā)射晶片的數(shù)量減少至2個(gè),此時(shí)幾乎無法發(fā)現(xiàn)140 mm處的缺陷信號(hào)(請(qǐng)見圖8)。
發(fā)射順序:1-2、2-3、23-4、…63-64
圖8:使用兩個(gè)晶片幾乎無法檢測(cè)到距離上表面140 mm處的缺陷信號(hào)。
反之,如果將一次激發(fā)晶片的數(shù)量增加至16個(gè),可以看到140 mm處的缺陷信號(hào)更加清晰。 然而,由于16個(gè)晶片呈圓形排列,因此跨越了一個(gè)大弧線,它們沒有有效聚焦,因此信號(hào)被拉長(zhǎng)放大。 這與使用線陣探頭時(shí)通常發(fā)生的情況相反。
發(fā)射順序:1-16、2-17、3-18、…49-64
圖9:增加至16個(gè)晶片的檢測(cè)結(jié)果。
然后我們嘗試同時(shí)發(fā)射32個(gè)晶片,也就是說,所有晶片的一半形成一個(gè)半圓。 由于這32個(gè)晶片呈半圓弧排列,且不是沿水平面呈直線,因此聲束無法聚焦,從而導(dǎo)致信號(hào)嚴(yán)重失真,幾乎不可能找到距螺帽表面140 mm處缺陷的信號(hào)(請(qǐng)見圖10)。
發(fā)射順序:1-32、2-33、3-34、…33-64
圖10:同時(shí)激發(fā)32個(gè)晶片的檢測(cè)結(jié)果。
基于上述試驗(yàn)結(jié)果,我們得出以下結(jié)論:
1. 當(dāng)同時(shí)激發(fā)8個(gè)晶片進(jìn)行螺栓檢查時(shí),可以獲得相對(duì)較好的試驗(yàn)結(jié)果。
2. 當(dāng)同時(shí)激發(fā)的晶片少于8個(gè)時(shí),聲束的穿透力較弱,從而降低了深層缺陷的檢測(cè)性能。
3. 反之,當(dāng)使用超過8個(gè)晶片激發(fā)時(shí),由于激發(fā)晶片增加,導(dǎo)致晶片由于不在一條直線上而造成聚焦能力反而降低,信號(hào)被拉長(zhǎng)放大。
該測(cè)試旨在比較環(huán)陣探頭與典型線控陣探頭的性能(圖11)。
圖11. OmniScan X3探傷儀上線陣探頭的波束示意圖
我們?cè)O(shè)法用線陣探頭和扇形掃描技術(shù)檢測(cè)螺栓中的所有缺陷;然而,這需要額外的步驟。 如果想檢測(cè)距離螺帽表面20 mm處的缺陷,有必要使用楔塊增加光束的入射角。 此外,該缺陷的信號(hào)和螺帽底面邊緣的信號(hào)靠得太近,無法對(duì)兩者進(jìn)行區(qū)分(圖12)。
圖12. 距離螺帽表面20 mm處缺陷的掃描結(jié)果。
如果想檢測(cè)距離螺帽表面80 mm和140 mm位置的缺陷,則需要使用不帶楔塊的探頭,以避免由于楔塊的固有回波影響檢測(cè)結(jié)果。 圖13顯示了距螺帽表面80 mm和140 mm處缺陷的掃描圖像。 然而,應(yīng)該指出的是,在檢測(cè)到缺陷后,必須旋轉(zhuǎn)探頭來檢測(cè)另一個(gè)缺陷。
圖13. 距離螺帽表面80 mm(左)和140 mm(右)處的缺陷結(jié)果。
PA環(huán)陣探頭的優(yōu)勢(shì)
該試驗(yàn)表明,環(huán)陣探頭相比于線陣探頭,具有其特有的優(yōu)勢(shì):
1. 環(huán)陣探頭無需旋轉(zhuǎn)即可發(fā)現(xiàn)所有角度上的缺陷,而線陣探頭需要旋轉(zhuǎn)至少180°才能發(fā)現(xiàn)所有角度上的缺陷。
2. 環(huán)陣探頭無需使用楔塊即可發(fā)現(xiàn)近表面的螺帽與螺桿連接區(qū)域的缺陷,而線陣探頭需要使用楔塊來增大偏轉(zhuǎn)角度才能發(fā)現(xiàn)此處的近表面缺陷。
我們還根據(jù)結(jié)果推測(cè),環(huán)陣探頭在中間有孔的螺栓上表現(xiàn)良好,但線陣探頭的波束可能會(huì)受到該特征的阻礙,從而無法檢測(cè)缺陷。 隨后的試驗(yàn)將在帶有中心孔的真實(shí)螺栓上進(jìn)行,以驗(yàn)證環(huán)陣探頭在這些類型螺栓上的優(yōu)勢(shì)。